بررسی کارایی پلتفرم‌های ذخیره‌ساز دائمی اطلاعات مبتنی بر فناوری 3D XPoint

بررسی کارایی پلتفرم‌های ذخیره‌ساز دائمی اطلاعات مبتنی بر فناوری 3D XPoint


در قسمت پیشین نوشته با پرداختن به پیشینه‌ای از سیستم‌های مورد بحث و نحوه چگونگی انجام بهینه‌سازی‌های نرم‌افزاری دریافتیم که قدمت رویه و روش‌های به کار گرفته شده جهت پوشاندن جامه حقیقت به حافظه‌هایی که هم‌اکنون تحت عنوان Optane در دسترس مصرف‌کنندگان قرار گرفته‌اند بالا بوده و فعالیت‌های چشمگیری در این زمینه تدارک پذیرفته است. حال ادامه نوشته را با ارزیابی کارایی فناوری و موارد استفاده پیش برده و مطلب را کامل می‌نماییم. جهت مطالعه دو قسمت پیشین مقاله به لینک‌های زیر مراجعه کنید:

“بررسی کارایی پلتفرم‌های ذخیره‌ساز دائمی اطلاعات مبتنی بر فناوری 3D XPoint – بخش اول”

“بررسی کارایی پلتفرم‌های ذخیره‌ساز دائمی اطلاعات مبتنی بر فناوری 3D XPoint – بخش دوم”

4. ارزیابی کارایی

هنگامی‌که ما در تلاش برای بهسازی سیستم و آزمایش ذخیره‌سازهای مبتنی بر میزان تأخیر اندک بودیم، این مهم بر ما واضح و مبرهن گشت که روش مورد نیاز جهت سنجش سیستم نیازمند تغییراتی می‌باشد. اندازه‌گیری کارایی دستگاه‌های ذخیره‌سازی دارای تاریخچه بلند و بالایی از زبان ثابت و روش‌های سنجش مختلف می‌باشد. اگرچه روش‌شناسی‌های سنتی تاکنون در ایفای نقش خود جهت اندازه‌گیری میزان کارایی دیسک‌های سخت و حافظه‌های جامد NAND مفید واقع شده‌اند، در این بخش ما به همگان نشان می‌دهیم که چگونه این رویه و روش‌های مبتنی بر عمق صفوف در تدارک مقایسه صحیح حافظه‌های جامد مرسوم با نمونه محصولاتی که میزان تأخیر آن‌ها مشابه با پشته‌های نرم‌افزاری استفاده شده جهت دسترسی به آن‌ها بوده است شکست می‌خورند. ما به معرفی روش‌شناسی بهبود یافته‌ای بر اساس زمان پاسخ‌دهی ورودی و خروجی و انعکاس رویه اندازه‌گیری زیرسیستم پلتفرم حافظه می‌پردازیم.

امروزه سنجه معمول مورد استفاده برای اندازه‌گیری میزان کارایی حافظه‌های ذخیره‌سازی واحد IOPS می‌باشد. ابزارهای بنچمارک نظیر fio و Iometer اغلب برای سنجش واحد IOPS مورد استفاده قرار می‌گیرند. ابزارهای اشاره شده به اجرای شماری از رشته‌های مختلف می‌پردازند که بر طبق آن، هرکدام از رشته‌های موجود به اعمال تعدادی دستور ورودی و خروجی به سمت دستگاه مبادرت می‌ورزد. در نهایت تعداد کل ورودی و خروجی‌های هم‌زمانی که ابزار ایجاد می‌کند تحت تست عمق صف نامیده می‌شود. در روش‌های معمول بررسی کارایی نظیر “آزمایش چهار گوشه” مورد استفاده توسط رسانه Toms Hardware، تست عمق صف به‌منظور دست‌کاری نمودن میزان سربار وارده به حافظه جامد در حین اندازه‌گیری واحد IOPS مورد تغییر و پیکربندی دوباره قرار می‌گیرد. بر همین اساس، نتایج نهایی تست عمق صف به‌عنوان متغیری متمایز در محور x به نمایش در می‌آید (واحد IOPS نیز به‌عنوان متغیری وابسته در محور y ها نمایان می‌گردد (عکس 5)).

Optane

عکس 5: مقایسهای از پارامتر IOPS در مقدار عمق صف ثابت بین یک حافظه جامد NAND و درایو جامد Optane و مبتنی بر بار پردازشی چهارکیلوبایتی ورودی و خروجی در حالت 71 درصد خوانش و 31 درصد نوشت (توزیع شده بهصورت تصادفی).

حافظه‌های جامد NAND پرظرفیت دارای تعداد تراشه‌های (die) متعددی بوده به‌منظور چیره شده بر میزان تأخیر ایجادی شده توسط هرکدام از تراشه‌های موجود و فراهم آوردن کارایی بالا وابسته به توزیع موازی فرآیندهای ورودی و خروجی در سرتاسر تعداد تراشه‌های موجود می‌باشند. در بررسی کارایی پیشتر توصیف شده، صفوف مبتنی بر عمق زیاد به‌منظور فراهم آوردن دستورالعمل‌های ورودی و خروجی در نرخی بالا جهت استفاده از منافع به ارمغان آورده شده توسط مکانیسم موازی‌سازی مورد استفاده قرار می‌گیرند. همان‌طور که نتایج حافظه جامد NAND کمپانی اینتل (سری DC P3700) در عکس 5 نشان داده شده است، واحد IOPS با فزونی عمق صف به نسبت آن با افزایش بیشتری همراه می‌شود.

برای حافظه جامد Optane سری DC P4800X کمپانی اینتل، عکس 5 نمایی از افزایش سریع در پارامتر IOPS حاصل از بخش چندرسانه‌ای مبتنی بر تأخیر اندک حافظه‌های جامد نامبرده و طرح‌های پیشتر توصیف شده را نمایانگر می‌باشد. این مهم بهبودی کاملاً واضح و مبرهن به شمار می‌رود، به‌عنوان مثال حافظه جامد مبتنی بر تراشه‌های NAND قادر است تا به میزان IOPS سیصد هزار واحد در صفی به عمق 128 دست پیدا کند، در حالی که حافظه جامد مبتنی بر فناوری Optane کمپانی اینتل نیز به نتایجی مشابه، اما در عمق صف 4 رسیده است. اگرچه استفاده از پارامتر عمق صف به‌منظور نمایش میزان بارهای موجود، بهبود کارایی ذخیره‌سازهای دارای میزان تأخیر اندک نظیر حافظه‌های جامد Optane اینتل را به‌صورت کافی در معرض نمایش قرار می‌دهند.

عکس 2 نمایانگر تعداد سه عضو مشترک (نرم‌افزار سیستم، سخت‌افزار سیستم و حافظه جامد) در عملیات پردازش زمان‌بر هرکدام از دستورالعمل‌های ورودی و خروجی موجود هنگام اندازه‌گیری از قالب برنامه سطح کاربر می‌باشد. میانگین ورودی و خروجی‌های برجسته در هرکدام از لایه‌های نامبرده نسبت به میزان تأخیر موجود متناسب می‌باشد. از لحاظ تاریخی، تقریباً بخش عظیمی از زمان فوق در سطح دستگاه ذخیره‌ساز به ثبت رسیده است، بنابراین پارامتر عمق صف واسطه‌ای مناسب برای اعمال بار بر دستگاه به شمار می‌رفت. برای درایوهای جامد مبتنی بر حافظه‌های کلاس ذخیره‌سازی، میزان تأخیرهای موجود در درایو قابل مقایسه با مقدار تأخیر سیستم می‌باشد. این مهم در حالت کلی عمق صف را به پارامتری ضعیف برای نمایش میزان بار اعمالی بر حافظه جامد تبدیل کرده و لذا درصد صحت و دقت مقایسه نیز به نسبت آن با کاهش بیشتری همراه می‌شود.

مثالی در این باره در عکس 6 فراهم آورده شده است. سربار پردازشی را فرض کنید که هر 20 میکروثانیه یک بار به درخواست ورود و خروجی از سیستمی که خود تأخیری به میزان 10 میکروثانیه بر هر دستورالعمل را اعمال می‌کند مبادرت می‌ورزد. یک حافظه جامد با برخورداری از تأخیری به بزرگی 100 میکروثانیه، سربار پردازشی فوق به ظهور عمق صفی به‌اندازه 5 واحد به‌صورت میانگین منتهی می‌شود (عکس 6 (a)). برای یک حافظه جامد ثانویه با برخورداری از میزان تأخیر کمتر در حدود 10 میکروثانیه، میانگین عمق صف برابر با 0.5 واحد می‌باشد (عکس 6 (b)). همین بار پردازشی در سطح حافظه جامد به تولید عمق صفی بسیار کمتر منجر می‌شود. در نصف زمان موجود، حافظه جامد ثانویه در حالت بیکار باقی‌مانده و هیچ فعالیتی را به انجام نمی‌رساند.

Optane

عکس 6: مقایسهای از عمق صف میانگین برای سیستمهایی با (a)  یک درایو جامد با تاخیر بالا؛ (b) یک درایو جامد با تاخیر کمتر و (c) یک درایو جامد با تاخیر کمتر تحت نرخ درخواست بالا.

به‌منظور انجام مقایسه‌ای عادلانه‌تر در فیمابین دو حافظه جامد موجود، میزان سربار پردازشی می‌تواند به چهار میکروثانیه بر هر دستورالعمل به‌منظور دستیابی به میانگین عمق صف 5 برای درایو جامد دوم افزایش پیدا نماید. اما اکنون حافظه جامد با عنایت به افزایش میزان بار سیستم خود به عمق میدانی برابر با 2.5 واحد دست پیدا کرده است (تصویر 6 (c)). استفاده از چنین تلاشی جهت اصلاح‌سازی روش موجود و تولید عمق صفوف یکسان منجر به مقایسه‌ای عادلانه در کارایی نمی‌شود.

شاید مهم‌تر از تمامی توضیحات فوق، ذکر این نکته ضروری باشد که پارامتر IOPS در سطح عمق صف زمان انتظار جهت دریافت داده‌های مورد نیاز را نادیده می‌گیرد. تأخیر فوق خود نوعی سنجه کارایی به شمار می‌رود که مطابق‌ترین مقایسات موجود را فراهم می‌آورد. عکس 7 نمایانگر مقایسه‌ای در بین میزان تأخیرهای مختلف و یا تعلل در صورت در نظر گرفتن حداقل مقدار بار موجود در بین حافظه جامد NAND و درایو جامد Optane کمپانی اینتل می‌باشد. در حالت میانگین، ما شاهد آن هستیم که درایو جامد مبتنی بر تراشه‌های حافظه NAND حدود ده برابر زمان انتظار حافظه‌های جامد Optane را تشکیل می‌دهد. علاوه بر آن، آنچه در عکس 7 نشان داده شده است که قابلیت نمایش آن در نمودار عمق صف نسبت به پارامتر IOPS امکان‌پذیر نیست تفاوت بزرگ موجود در میزان غلظت تأخیر (در حدود 99.999 درصد) بین حافظه‌های جامد مختلف را نشانگر می‌باشد. ما فرض را بر آن گذاشته‌ایم که غلظت‌های کمتر نمایانگر کیفیت بالاتر سرویس (QoS) می‌باشد. در بخش چهارم مقاله، ما به معرفی سربارهای پردازشی که از منافع به ارمغان آورده شده توسط کیفیت سرویس بالاتر نفع می‌برند می‌پردازیم.

به‌منظور انجام مقایسه‌ای عادلانه‌تر در فیمابین دو حافظه جامد موجود، میزان سربار پردازشی می‌تواند به چهار میکروثانیه بر هر دستورالعمل به‌منظور دستیابی به میانگین عمق صف 5 برای درایو جامد دوم افزایش پیدا نماید. اما اکنون حافظه جامد با عنایت به افزایش میزان بار سیستم خود به عمق میدانی برابر با 2.5 واحد دست پیدا کرده است (تصویر 6 (c)). استفاده از چنین تلاشی جهت اصلاح‌سازی روش موجود و تولید عمق صفوف یکسان منجر به مقایسه‌ای عادلانه در کارایی نمی‌شود.

شاید مهم‌تر از تمامی توضیحات فوق، ذکر این نکته ضروری باشد که پارامتر IOPS در سطح عمق صف زمان انتظار جهت دریافت داده‌های مورد نیاز را نادیده می‌گیرد. تأخیر فوق خود نوعی سنجه کارایی به شمار می‌رود که مطابق‌ترین مقایسات موجود را فراهم می‌آورد. عکس 7 نمایانگر مقایسه‌ای در بین میزان تأخیرهای مختلف و یا تعلل در صورت در نظر گرفتن حداقل مقدار بار موجود در بین حافظه جامد NAND و درایو جامد Optane کمپانی اینتل می‌باشد. در حالت میانگین، ما شاهد آن هستیم که درایو جامد مبتنی بر تراشه‌های حافظه NAND حدود ده برابر زمان انتظار حافظه‌های جامد Optane را تشکیل می‌دهد. علاوه بر آن، آنچه در عکس 7 نشان داده شده است که قابلیت نمایش آن در نمودار عمق صف نسبت به پارامتر IOPS امکان‌پذیر نیست تفاوت بزرگ موجود در میزان غلظت تأخیر (در حدود 99.999 درصد) بین حافظه‌های جامد مختلف را نشانگر می‌باشد. ما فرض را بر آن گذاشته‌ایم که غلظت‌های کمتر نمایانگر کیفیت بالاتر سرویس (QoS) می‌باشد. در بخش چهارم مقاله، ما به معرفی سربارهای پردازشی که از منافع به ارمغان آورده شده توسط کیفیت سرویس بالاتر نفع می‌برند می‌پردازیم.

Optane

عکس 7: مقایسهای از میزان تاخیر میانگین و تاخیر QoS بین یک حافظه جامد NAND و درایو جامد Optane تحت بار پردازشی ورودی و خروجی چهار کیلوبایتی مبتنی بر 71 درصد خوانش و 31 درصد نرخ نوشت اطلاعات.

صرفه نظر از پارامتر تأخیر (Latency)، عکس 8 نمایانگر میزان تعلل (Delay) تحت بار یا زمان پاسخ‌گویی را نمایانگر بوده و زمان‌های پاسخ‌گویی کیفیت سرویس (QoS) برای انجام آزمایش‌های یکسان در عکس 5 به نمایش درآمده‌اند. در اینجا، بار به‌صورت کاملاً مستقیم توسط مؤلفه IOPS نشان داده شده است، صرفه نظر از عمق صف استفاده شده برای تولید بار مربوطه و زمان پاسخ‌گویی نیز به‌عنوان سنجه‌ای در کارایی در نتایج دخیل می‌باشد. در محور yها، زمان پاسخ‌دهی حافظه جامد NAND نسبت به افزایش بار با فزونی بیشتری همراه می‌شود. برای حافظه جامد Optane کمپانی اینتل، منحنی قابل مشاهده یادآور اندازه‌گیری‌های حافظه سیستم می‌باشد که بر طبق آن زمان پاسخ‌دهی در حالت کم باقی‌مانده و تنها هنگامی‌که بار به اشباع نمودن پهنای باند حافظه مبادرت ورزد به‌صورت چشمگیری افزایش پیدا می‌کند.

علاوه بر آن، عکس 8 کیفیت سرویس بالاتری را برای زمان پاسخ‌دهی حافظه جامد Optane کمپانی اینتل نمایانگر می‌باشد. حتی تحت بارهای شدید، 99.999 امین زمان پاسخ‌دهی همچنان کمتر از 100 میکروثانیه باقی می‌ماند. از طرفی دیگر برای حافظه جامد NAND، 99 امین زمان پاسخ‌گویی به فراتر از یک میلی‌ثانیه افزایش پیدا می‌کند، در حالی که مقدار 99.999 امین زمان پاسخ‌گویی نزدیک به 10 میلی‌ثانیه می‌باشد.

Optane

عکس 8: مقایسه‌ای از زمان پاسخ‌دهی میانگین، 99 درصد و 99.999 درصد در مقدار IOPS ثابت بین یک حافظه جامد NAND و یک درایو جامد Optane در چهار کیلوبایت بار پردازشی ورودی و خروجی توزیع شده به‌صورت تصادفی در نرخ 70 درصد خوانش و 30 درصد نوشت.

ما نتیجه گرفتیم که صرفه نظر از پارامتر عمق صف، رسم نمودار زمان پاسخ‌دهی نسبت به میزان توان عملیاتی، بعلاوه کیفیت سرویس برای مقادیر غلظتی مبتنی بر درصد بالا روشی درست به‌منظور اندازه‌گیری و مقایسه کارایی حافظه‌های جامد می‌باشد. در حقیقت از منظر زمانی، کارایی حافظه سیستم‌های موجود به‌عنوان مؤلفه زمان پاسخ‌گویی تحت مقدار باری از پیش تعیین شده قبلاً گزارش شده است. ما دیگران را تشویق به استفاده از این روش برای سنجش کارایی حافظه‌های ذخیره‌سازی می‌نماییم. اندازه‌گیری زمان پاسخ‌گویی نسبتّّ به پارامتر IOPS به متخصصان سیستم‌های رایانه‌ای و طراحان اپلیکیشن‌های کامپیوتری اجازه می‌دهد تا به‌صورت مستقیم نحوه چگونگی تأثیر زمان‌های پاسخ‌دهی میانگین و غلظت حافظه‌های جامد بر میزان کارایی سربار پردازشی که قصد اعمال آن بر سیستم را در سر دارند درجه‌بندی نمایند.

5. موارد استفاده و اپلیکیشن‌های مرجع

با درک قطعات و المان‌های سیستم، ما به تلاش جهت توصیف تأثیرهای موجود در استفاده حقیقی پرداختیم. حافظه‌های ذخیره‌ساز سریع و شکاف‌های توسعه DRAM از جمله مدل‌های عملی کاربردی مورد استفاده برای توسعه اولیه درایوهای جامد Optane کمپانی اینتل به شمار می‌روند.

5-1. ذخیره‌سازهای سریع برای پایگاه‌های داده: دیتابیس RocksDB

در طی یک دهه گذشته پایگاه‌های داده بهینه‌شده برای سیستم‌های چند هسته‌ای پیشرفته و مبتنی بر حافظه‌های ذخیره‌سازی NAND پای در عرصه وجود گذاشتند. به‌عنوان مثال پایگاه داده متن‌باز RocksDB نمونه‌ای از موارد فوق به شمار می‌رود. دیتابیس‌های مجتمع نامبرده از ساختارهای لگاریتمی ادغام شده (به‌اختصار LSM) به‌منظور فراهم آوردن بستری قابل جاسازی بهره می‌جویند. ساختار لگاریتمی نامبرده در حالت کلی به هدایت بخش عمده‌ای از نحوه رفتار سطح ذخیره‌سازی اپلیکیشن مبادرت می‌ورزد. در ساختمان حافظه‌های جامد، آدرس‌دهی فرآیندهای خوانش اطلاعات معمولاً تصادفی صورت می‌پذیرد، در حالی که عملیات نوشت به‌صورت متوالی و پشت سر هم انجام شده و تعداد فرآیندهای خوانش نسبت به نوشت بیشتر می‌باشند. پاسخ‌گویی به درخواست یک کاربر برای دسترسی به یک صفحه اینترنتی نیازمند بازیابی شمارش فراوانی از مقادیر کلیدی (Key-Value) است. حافظه‌های ذخیره‌سازی مورد استفاده در چنین سیستم‌هایی باید از انعطاف‌پذیری کافی جهت بازگردانی مقادیر مورد نیاز به‌صورت کاملاً سریع برخوردار باشد که این مهم بدانی است که سخت‌افزار باید حجم عظیمی از پارامترهای IOPS را برای سربارهای پردازشی مختلط خوانش/نوشت اطلاعات فراهم آورد، درخواست‌های تعداد زیادی از کاربران توسط یک حافظه جامد می‌تواند سریعاً پاسخ گفته شود. علاوه بر آن حافظه‌های ذخیره‌سازی باید درخواست‌های ورودی و خروجی مربوطه را با میزان تأخیر ثابتی جهت جلوگیری از عدم در انتظار ماندن بیشتر برخی از کاربران فراهم آورند. به عبارتی دیگر، درایو جامد باید تعداد فراوانی از پارامترهای IOPS به همراه کیفیت بسیار ممتاز سیستم برای سربارهای پردازشی ترکیبی خوانش تصادفی و نوشت متوالی اطلاعات را به کاربران ارائه نماید.

یک نمونه آزمایشی از حافظه جامد Optane کمپانی اینتل (نسخه‌ای پیشگام و بهبود یافته از درایو DC P4800X با درصد کارایی مشابه) در مقایسه با یک درایو جامد NAND (سخت‌افزار سری DC P3600 کمپانی اینتل) در سیستمی متشکل از تعداد دو پردازنده مرکزی Xeon (با برخورداری از دوازده هسته مرکزی، فرکانس 2.5 گیگاهرتز به همراه فناوری هایپر تردینگ)، 256 گیگابایت حافظه اصلی DDR4 سیستم‌عامل CentOS (توزیع 7.2 پلتفرم لینوکس) با استفاده از سیستم فایلی XFS بدون ایجاد کوچک‌ترین تغییری در چهارچوب نرم‌افزاری سیستم‌عامل مورد تست و بررسی قرار گرفته‌اند. علاوه بر آن قابلیت TRIM نیز در سیستم در حالت فعال قرار داشته است. حافظه جامد سری DC P3600 کمپانی اینتل تا پنجاه درصد ظرفیت ذخیره‌سازی آن توسط اطلاعات مختلف پر شده است، در حالی که این میزان در نسخه آزمایشی درایو جامد Optane برابر با 75 درصد گنجایش نهایی آن می‌باشد. پیکربندی تنظیمات پایگاه داده RocksDB بر اساس تست‌های منتشر شده در وب‌سایت rocksdb.org (دیتابیسی یک میلیون کلیده و متشکل از تعداد هشت بخش و 25 میلیون کلید) و مطابق با الگوی جفت نمودن دو به دوی کلیدها با یکدیگر، کلیدهای 20-B، مقادیر 800-B، نرخ فشرده‌سازی پنجاه درصد و در حدود اشغال حدود صد گیگابایت از ظرفیت ذخیره‌سازی دیسک انجام پذیرفته است. تمامی رشته‌ها به‌صورت کاملاً تصادفی به خوانش کلیدها از قرار فوق مبادرت ورزیده‌اند: رشته‌ها در هنگام به‌روزرسانی حدود هشتاد هزار کلید توسط یک رشته نویسنده به خوانش تصادفی کلیدهای موجود مبادرت می‌ورزند. نتایج خروجی آزمایش انجام پذیرفته در عکس‌های 9 و 10 به تصویر کشیده شده‌اند و شاخصه کارایی نسبت به تعداد رشته‌های پایگاه داده RocksDB را نمایانگر می‌باشند.

نتایج توان عملیاتی سمت کاربر (عکس 9) نشانگر برتری اساسی و قابل توجه نسخه آزمایش حافظه جامد Optane کمپانی اینتل است. تعداد رشته‌های موجود در این آزمایش تقریباً متناسب با تعداد هسته‌های فیزیکی سیستم می‌باشد. میزان تأخیر بسیار کمتر درایو جامد مذکور در افزایش چشمگیر پارامتر IOPS برای سربارهای پردازشی فقط خوانش (Read-Only) تأثیرگذار می‌باشد، زیرا تعداد دسترسی‌های برجسته برای استفاده کامل از مؤلفه‌های موازی‌سازی سطح die حافظه جامد NAND در اختیار نمی‌باشند. اتصال زمان محاسبه شده بر هر دسترسی  و میزان تأخیر درایوهای جامد منجر به افزایش سه برابری توان عملیاتی نسخه آزمایش درایو جامد Optane کمپانی اینتل گشته‌اند.

Optane

عکس 9: توان عملیات برای فرآیندهای دریافت پایگاه داده RocksDB.

شاخصه زمان پاسخ‌دهی از اهمیت فراوانی در حد و اندازه توان عملیاتی برخوردار می‌باشد. دنباله زمان پاسخ‌دهی توزیع حافظه جامد برای این سنجه باید مدنظر قرار گیرد، بنابراین عکس 10 نمایانگر 99 امین درصد شاخصه مذکور می‌باشد. میزان تأخیر در این ترسیم آماری نماینده بخشی از زمان پاسخ‌دهی به کاربر نهایی است. اندازه‌گیری و سنجش بار پردازشی در درایوهای جامد مبتنی بر تراشه‌های حافظه NAND از دشواری به‌خصوصی برخوردار می‌باشد، زیرا فرآیند نوشت اطلاعات مدت زمانی بسیار به طول انجامیده و برخی از عملیات خوانش ممکن است لازم باشد تا مدت زمان بیشتری را به‌منظور تکمیل تنها یک رشته خوانش سپری نمایند. حافظه‌های مبتنی بر فناوری 3D XPoint فرآیندهای نوشت اطلاعات را با سرعت بسیار فراتری به انجام رسانده و لذا نسخه آزمایش درایو جامد Optane کمپانی اینتل از جریمه‌های برخورد آن‌چنانی رنج نمی‌برد. ذکر این نکته ضروری است که نسخه آزمایشی درایو مذکور در تمامی رشته‌های موجود به پاسخ‌گویی به درخواست‌های انجام شده در یک دهم زمان مورد نیاز برای حافظه‌های NAND می‌پردازد که این خود در افزایش ده برابری میزان پاسخ‌پذیری تأثیرگذار می‌باشد.

پایگاه داده RocksDB در نوع خود نرم‌افزاری بسیار مهمی به شمار می‌رود، اما علاوه بر آن نمایندگی یک کلاس بسیار مهم از برنامه‌های کاربردی ذخیره‌سازی کلیدها-مقادیر که از درجه حساسیت بالایی نسبت به میزان تأخیر فرآیندهای خوانش تصادفی اطلاعات در حضور فرآیندهای متوالی نوشت اطلاعات در پس‌زمینه برخوردار می‌باشند را نیز بر عهده دارد. همان‌طور که پیشتر نیز نشان داده شد، نسخه آزمایشی درایو جامد Optane کمپانی اینتل در فراهم آوردن توان عملیاتی چشمگیر و مزیت‌های صریح پاسخ‌دهی در مقایسه با حافظه‌های جامد NAND برای این بار پردازشی به‌خصوصی از قدرت بالایی بهره‌مند می‌باشد.

پست های مرتبط

دیدگاه خود را بنویسید