لیتوگرافی 10 نانومتری اینتل و افزایش چگالی ماسفت ترانزیستورهای CMOS تا 2.7 برابر! + جزئیات

لیتوگرافی 10 نانومتری اینتل و افزایش چگالی ماسفت ترانزیستورهای CMOS تا 2.7 برابر! + جزئیات


به تازگی یک نمونه پردازنده کمپانی اینتل که از فناوری ساخت 10 نانومتری برخوردار است، زیر ذربین شرکت Tech Insights رفته و شاهکار اینتل از پردازنده‌های پیش رو تشریح می‌کند. وقتی لیتوگرافیکی های مختلفی را با هم مقایسه کنیم، برای مثال، در نمونه های 22 نانومتری نسبت به 14 نانومتری، قرار نیست بتوان به میزانی که فناوری ساخت کوچکتر شده است، تعداد بیشتری از آنها را بکار گرفت. در حقیقت طراحی ترانزیستورها که بهتر است بگوییم ترانزیستورهای ماسفت که با منطق CMOS طراحی شده اند، گاهی شاید تا 30 الی 40 درصد بهبود یابد اما، بتوان چندین برابر ترانزیستورهای بیشتری را بکار گرفت! در ادامه این مطلب با سخت افزار با همراه باشید.

 

ترانزیستور

 

روند طراحی و ساخت ترانزیستورهای FinFET برای ویفرهای سیلیکونی پردازنده‌های 10 نانومتری کمپانی اینتل، بیش از آنچه که انتظار می‌رفت کند بود. اما با این حال کمپانی اینتل شگفتی را به ارمغان آورده است. اخیرا برخی محققان به یک پردازنده کمپانی اینتل در مدل Core i3-8121U از سری Cannon Lake دست یافته‌اند که از فناوری ساخت 10 نانومتر برخوردار است. پس از جدا سازی die این پردازنده، شاهکار مورد بحث به زیر یک میکروسکوپ الکترونی رفته که گفتنی‌های جالبی را دارد. طبق اطلاعات منتشر شده این پردازنده از یک لپ‌تاپ کمپانی لنوو در مدل Ideapad330 برداشته شده است.

بزرگترین نکته‌ای که یافت شده است، کاهش بسیار قابل توجه چگالی ترازیستورها در پردازنده‌های 10 نانومتری می‌باشد. گفته می‌شود در مقایسه با پردازنده‌های سری 14 نانومتری، کمپانی اینتل این‌بار توانسته با 10 نانومتری‌های خود به 2.7 برابر (دقیقتر 2.66 برابر) تراکم بیشتر ترانزیستورها دست یابد! در حقیقت اینتل توانسته 100.8 میلیون ترانزیستور در هر میلی‌متر مربع جای دهد که این مقدار در ترانزیستورهای 14 نانومتری برابر با 37.5 میلیون بود! با این حال اگر یک die با مساحت 127 میلی‌متر مربع را در نظر بگیریم، این قطعه سیلیکونی می‌تواند میزبان 12.8 میلیارد ترانزیستور باشد. افزون بر این مشخصات بسیار جالب، کمپانی اینتل در پردازنده‌های 10 نانومتری خود از نسل سوم ترانزیستورهای FinFET استفاده می‌کند. در این نسل، فاصله بین گیت ها یا gate pitch از 70 نانومتر به 54 نانومتر و metal pitch از 52 نانومتر به 36 نانومتر کاهش یافته است. همچنین در نسل سوم ترانزیستورهای FinFET، اینتل از فلز کبالت به عنوان جایگزین مناسب برای مس و تنگستن در قسمت هایی مانند زیرلایه‌ی سیلیکونی به دلیل ابعاد کوچکتر و مقاومت کمتر آن استفاده کرده است.

منبع: TechPowerUp با اندکی دخل و تصرف

پست های مرتبط

دیدگاه خود را بنویسید