شروع پروژه ساخت کارخانه‌های تولید لیتوگرافی 3 نانومتر توسط کمپانی TSMC

شروع پروژه ساخت کارخانه‌های تولید لیتوگرافی 3 نانومتر توسط کمپانی TSMC


شروع پروژه ساخت کارخانه‌های تولید لیتوگرافی 3 نانومتر توسط کمپانی TSMC

اشتراک گذاری این مطلب

کمپانی TSMC اخیراً رویکرد تهاجمی و پرخاشگرانه‌ای را در خصوص طراحی و توسعه تراشه‌های سیلیکونی نظیر فناوری ساخت 3 نانومتر در پیش گرفته و با افزایش سرمایه‌گذاری خود در بخش تحقیقات و توسعه، اکنون رکوردی تازه را از خود بر جای گذاشته و حتی میزان سرمایه‌گذاری خود در مقایسه با کمپانی اینتل را پیشی داده است. این مهم نمایانگر تقاضای عظیم بازار برای فناوری‌های جدید بوده و کمپانی TSMC در حال تلاش جهت پاسخ‌گویی و ربودن گوی سبقت در مسابقه بی پایان کارایی بیشتر و اندازه کمتر نودهای مورد استفاده در تراشه‌های کامپیوتری از رقبای خود می‌باشد.

شروع پروژه ساخت کارخانه‌های تولید لیتوگرافی 3 نانومتر توسط کمپانی TSMC

بر طبق جدیدترین اخبار منتشر شده از جانب منابع رسانه DigiTimes، کمپانی TSMC به تازگی 30 هکتار از زمین بخش جنوبی پارک علم (Science Park) تایوان را برای شروع کارخانه‌های مرتبط با طراحی و توسعه فناوری ساخت 3 نانومتر در سال 2023 خریداری کرده است. زمان شروع ساخت کارخانه‌های مربوطه در سال 2020 در نظر گرفته شده و پس از اتمام پروژه در سال 2023، فرآیند طراحی و تولید لیتوگرافی 3 نانومتر بلافاصله آغاز می‌گردد. انتظار می‌رود تا فناوری ساخت 3 نانومتر سومین تلاش کمپانی TSMC در حوزه لیتوگرافی مبتنی بر EUV محسوب شود (همانطور که می‌دانیم، جایگاه اولین و دومین تلاش در انحصار لیتوگرافی‌های 7 نانومتر پلاس و 5 نانومتر قرار دارد).

منبع: TechPowerUP

پست های مرتبط

دیدگاه خود را بنویسید